SI4276DY-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI4276DY-T1-GE3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V |
Leistung - max | 3.6W, 2.8W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen | SI4276DY-T1-GE3TR SI4276DYT1GE3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A |
Basisteilenummer | SI4276 |
SI4276DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4276DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
FAIRCHILD SOP-8
SI4286DY-T1-E3 VISHAY
VISHAY SOP-8
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4276DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|